Besichtigung im Neubau des Halbleiterlabors, das mit Elektrotechnik von Kreutzpointner ausgestattet wird: (v. re.) Bernhard Ehegartner (Geschäftsbereichsleiter Gebäudetechnik), Projektmanager Dietmar G. und Bauleiter Lars V..
Besichtigung im Neubau des Halbleiterlabors, das mit Elektrotechnik von Kreutzpointner ausgestattet wird: (v. re.) Bernhard Ehegartner (Geschäftsbereichsleiter Gebäudetechnik), Projektmanager Dietmar G. und Bauleiter Lars V..

Kreutzpointner-Elektrotechnik für hochspezialisiertes Halbleiterlabor

Gebäudetechnik und Schaltanlagen von Kreutzpointner für das neue Halbleiterlabor des Max-Planck-Instituts für Plasmaphysik in Garching (IPP) bei München

Garching/Burghausen. Für den Neubau des Halbleiterlabors auf dem Campus des Max-Planck-Instituts für Plasmaphysik in Garching (IPP) bei München ist noch bis September 2023 das bewährte elektrotechnische Knowhow der beiden Kreutzpointner-Geschäftsbereiche Gebäudetechnik und Schaltanlagenbau gefragt. Die Max-Planck-Gesellschaft ist ein langjähriger Kunde von Kreutzpointner, das Auftragsvolumen bewegt sich im einstelligen Millionen-Euro-Bereich.

In dem Bürokomplex mit Reinräumen für die Halbleiterforschung müssen bis in den September 2023 rund zehn Gebäudetechnik-Fachkräfte mit Bauleiter Lars V. und Bauleiterin Andrea E. folgende Arbeiten durchführen: Trassenbau, Kabelzug, E-Installation, UV/GV, Transformatoren/Mittelspannungsschaltanlage (10kV), BMA, ELA und GLT (KNX). Die Gewerke sind auf vier Ebenen auszuführen – vom Erdgeschoss bis ins dritte Obergeschoss. Der Burghauser Kreutzpointner-Schaltanlagenbau fertigt für das Projekt termingerecht die Verteilungen für NSHV und UV.

Im Garchinger Halbleiterlabor des Max-Planck-Instituts steht die Entwicklung und Herstellung modernster Halbleiter-Strahlungsdetektoren für hochspezialisierte Experimente in den Schwerpunktfeldern Hochenergiephysik und Astrophysik im Fokus, wie sie kommerziell nicht verfügbar sind. Von besonderer Bedeutung ist die Kompetenz im Aufbau von fehlerfreien doppelseitigen Detektoren in Wafergröße auf ultrareinem Silizium.

mko